![]() |
Плазменно-дуговое выращивание монокристаллов
Метод относится к числу бестигельных жидкофазных. Источником нагрева служит плазмотрон,
создающий электрическую дугу в среде инертного газа. Электрическая дуга и плазменная струя
обеспечивают формирование ванны расплава на торце затравки, которая является анодом прямой
электрической дуги. В данном методе реализуется капиллярное формообразование ванны расплава.
Плазменно дуговой способ позволяет выращивать наиболее крупные монокристаллы карбидов, боридов
переходных металлов.
Подробно...
|
![]() |
СВС длинномерных образцов в формах
Для синтеза стержней применяются образцы из активных порошковых смесей, запрессованные в
длинномерные оболочки (L/d>>1) из огнеупорных и неогнеупорных материалов. Процесс
осуществляется в специальной установке в инертной атмосфере. Контролируется температура
образца и оболочки, скорость и температура горения, удельное газовыделение, давление
примесного газа в волне горения.
Подробно...
|
![]() |
Запрессовка порошковых смесей в длинномерные формы
Основу метода составляет последовательное уплотнения предельно тонких слоев порошков. Толщина
единичного слоя соизмерима с размером частиц порошка. Метод обеспечивает высокий уровень
плотности и однородности прессовок при низких удельных значениях энергии прессования отдельных
слоев.
Подробно...
|
![]() |
Электротепловой взрыв (ЭТВ)
Позволяет исследовать механизм и кинетику высокотемпературных быстропротекающих
экзотермических реакций в гетерогенных конденсированных системах, при температурах до
4000 К с характерными временами превращения менее 1 мсек. В основе ЭТВ лежит нагрев
реакционноспособного образца прямым пропусканием через него электрического тока с мгновенным
отключением последнего в момент начала самовоспламенения и оптическая регистрация во времени
температуры образца.
Подробно...
|
![]() |
Исследование ЭТВ в модельных образцах с постоянной реакционной поверхностью
Исследуемые образцы изготовляются из тонких фольг реагентов, свернутых в
рулон. Таким образом, при плавлении легко плавкий компонент системы растекается по поверхности
другого компонента, но площадь контакта остается постоянной до момента плавления тугоплавкого
компонента.
Подробно...
|